導(dǎo)電性取決于熱激發(fā)產(chǎn)生的受激電子和空穴，摻雜可以大大提高半導(dǎo)體的導(dǎo)電性。摻雜可分為N型摻雜和P型摻雜，n型，增加空穴傳導(dǎo)，PN結(jié)是半導(dǎo)體P型的一部分摻雜。為什么摻雜的濃度越高，和擴散有什么區(qū)別？當(dāng)n全高摻雜。
1、半導(dǎo)體材料中,離子注入與離子 摻雜有什么區(qū)別?
離子注入需要合適的離子注入設(shè)備。半導(dǎo)體摻雜離子注入機的能量范圍為20 ~ 400千電子伏。硼離子注入硅的注入深度一般在1微米以下，束流強度為幾十到幾百微安。離子注入機有兩種:先分析后加速和先加速后分析。個人覺得這應(yīng)該是同一個概念！離子注入后，雜質(zhì)必須混入原來的純半導(dǎo)體中！它的作用是將半導(dǎo)體的導(dǎo)電性提高許多倍以供采用。
相對來說，本征半導(dǎo)體的載流子數(shù)量很少，電導(dǎo)率還很低。但如果摻雜少量雜質(zhì)，形成的雜質(zhì)半導(dǎo)體的導(dǎo)電性會大大增強。由于雜質(zhì)的不同，雜質(zhì)半導(dǎo)體可以分為兩類:N型和P型。N型半導(dǎo)體中摻雜的雜質(zhì)是磷或其他五價元素。當(dāng)磷原子取代原晶體結(jié)構(gòu)中的原子，形成共價鍵時，多余的五價電子很容易擺脫磷核的束縛，成為自由電子，于是半導(dǎo)體中自由電子的數(shù)量大大增加，自由電子成為多數(shù)載流子，空穴成為少數(shù)載流子。
2、 摻雜和擴散有什么區(qū)別?(擴散不指自擴散,指雜質(zhì)原子的擴散
If 摻雜同為擴散的主體，兩者沒有區(qū)別。如果這兩個主題是不同的，那么擴散是更生動和具體的。而摻雜只是口語化的詞，擴散寫的是。擴散是自發(fā)的，摻雜是人為的，有目的的，但它們是同一個物理過程。不是，擴散是指純物質(zhì)形成后，雜質(zhì)原子通過熱運動從外界進入物質(zhì)，而摻雜是指在物質(zhì)合成或固化過程中，雜質(zhì)原子直接混入合成或固化的原料中。
3、為什么 摻雜濃度越高,PN結(jié)越窄?P,N都是高 摻雜的情況下,為什么PN結(jié)卻越...
簡單來說:摻雜濃度過高時，雜質(zhì)原子相互靠得太近，從而相互結(jié)合，使參與PN結(jié)形成的雜質(zhì)原子數(shù)量減少，從而使PN結(jié)變窄。以下信息供參考:晶體是由許多原子重疊在一起，靠近時通過電子軌道“成鍵”而成。此時，原子中的“電子態(tài)”會從“能級態(tài)”變?yōu)椤澳軒B(tài)”，即能級被展寬為能帶。同樣，當(dāng)摻雜的濃度高到相鄰“雜質(zhì)原子”的電子軌道重疊時，
但由于雜質(zhì)原子的軌道重疊不是很大，雜質(zhì)能帶寬度較小，所以傳導(dǎo)效應(yīng)不顯著(一般只在低溫下有貢獻)。當(dāng)半導(dǎo)體的摻雜濃度很高時，大量雜質(zhì)中心的勢會使導(dǎo)帶和價帶出現(xiàn)能帶尾；如果摻雜的濃度高到能帶尾與雜質(zhì)能帶相連，半導(dǎo)體的能隙就會變窄。微觀粒子系統(tǒng)在每個穩(wěn)定能量狀態(tài)下的能量值。當(dāng)原子形成分子時，原子軌道形成具有離散能級的分子軌道。由原子軌道組成的分子軌道數(shù)量非常多。
4、 摻雜對半導(dǎo)體導(dǎo)電性能的影響有那些?no 摻雜的半導(dǎo)體是本征半導(dǎo)體。導(dǎo)電性取決于熱激發(fā)產(chǎn)生的受激電子和空穴，摻雜可以大大提高半導(dǎo)體的導(dǎo)電性。摻雜可分為N型摻雜和P型摻雜。n型。增加空穴傳導(dǎo)。PN結(jié)由半導(dǎo)體的P 摻雜部分和N 摻雜部分構(gòu)成。希望對你有幫助。
5、如何確定 摻雜的離子形成哪種缺陷離子注入是離子摻雜的一種。隨著VLSI器件的發(fā)展，到了70年代，器件尺寸不斷縮小，結(jié)深下降到1um以下，擴散技術(shù)有些力不從心。在這種情況下，離子注入技術(shù)充分發(fā)揮了它的優(yōu)勢。目前結(jié)深小于1um的平面技術(shù)，基本上是通過離子注入技術(shù)完成的摻雜。離子注入技術(shù)已經(jīng)成為超大規(guī)模集成電路生產(chǎn)中不可缺少的工藝。離子注入具有以下特點:①可以在較低的溫度(400℃)下進行。
②通過控制注入時的電條件(電流和電壓)，可以精確控制濃度和結(jié)深，更好地控制雜質(zhì)分布形狀，雜質(zhì)濃度不受材料固溶度的限制；③可選擇一種元素注入，避免與其他雜質(zhì)混合；④可以在大面積上形成薄而均勻的/層。同一晶圓上的雜質(zhì)不均勻性優(yōu)于1%，橫向摻雜遠小于擴散。⑤控制離子束的掃描面積，可以實現(xiàn)選擇性注入，并進一步發(fā)展為無掩模摻雜技術(shù)。
6、介紹下半導(dǎo)體的 摻雜問題?不是所有摻雜都有效，因為硅和磷和硼的摻雜會有一些失效，磷和硼不會形成四價鍵，而是三價鍵，所以還是會沒有導(dǎo)通，沒有pn節(jié)。其實半導(dǎo)體摻雜是化學(xué)反應(yīng)，不是簡單的混合。這項技術(shù)只有歐美才有。當(dāng)晶體管越來越小，普通摻雜的成功率越來越低。如果你研究原子晶體，你會獲得一些關(guān)于半導(dǎo)體的知識。另外氮的電負性太大，不能和硅形成四價鍵摻雜，只能是三價鍵，所以不能導(dǎo)電。
7、食品安全法摻假 摻雜怎么界定食品安全法好像沒有這個規(guī)定，但是司法解釋有:最高人民*、最高人民檢察院關(guān)于辦理生產(chǎn)、銷售偽劣商品刑事案件具體應(yīng)用法律若干問題的解釋。2001年4月5日刑法第一條規(guī)定“在產(chǎn)品摻雜，摻假”，是指在產(chǎn)品中摻入人體雜質(zhì)或者異物，造成產(chǎn)品質(zhì)量低劣。
