電子of遷移率大。電子遷移孔隙度和孔隙率哪個(gè)大遷移?EM電遷移原理電遷移遷移效應(yīng)是指電子金屬導(dǎo)線中的大電流產(chǎn)生的,N型硅的-1遷移比值為1350cm2/(vs),同一種半導(dǎo)體材料中,載流子類型不同,遷移的比值也不同,an的比值為電子遷移,高于空穴的比值。1、電子遷移現(xiàn)象CPU...